IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, XIN YAN

XIN XIN < XIN YAN < XIN YU

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000243 (2013)		Growth of InAs quantum dots on Si-based GaAs nanowires by controlling the surface adatom diffusion
000525 (2012)		Formation Mechanism and Optical Properties of InAs Quantum Dots on the Surface of GaAs Nanowires
000842 (2011)		Growth of InAs Quantum Dots on GaAs Nanowires by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Adatoms
3	III-V compound
3	III-V semiconductors
3	Indium arsenides
3	MOCVD
3	Nanostructured materials
3	Nanowires
3	Quantum dots
2	Blende structure
2	Catalysts
2	Diffusion
2	Gallium arsenides
2	Growth mechanism
2	Optoelectronic devices
2	Photoluminescence
2	Zinc
1	Formation mechanism
1	Gold
1	Heterostructures
1	Infrared detectors
1	Line widths
1	Nanomaterial synthesis
1	Nanostructures
1	Nanowire device
1	Near infrared radiation
1	Optical properties
1	Photovoltaic cell
1	Silicon
1	Solar cells
1	Surface diffusion
1	Surface properties
1	Wettability
1	Wetting

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « XIN YAN »
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