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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « XIANGYANG MA »
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XIANGYAN YUAN < XIANGYANG MA < XIANGYING CHEN  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
001452 (2007) Dissolution of oxygen precipitates in germanium-doped Czochralski silicon during rapid thermal annealing
001463 (2007) Crystal-originated particles in germanium-doped Czochralski silicon crystal

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
2Crystal growth
2Crystal growth from melts
2Czochralski method
2Germanium
2Indium additions
2Monocrystals
2Point defects
2Semiconductor materials
2Silicon
2Silicon additions
2Thermal properties
2Thermal stability
1Annealing
1Boron
1Boron additions
1Compensation
1Crystal defects
1Crystal doping
1Dissolution
1Doping
1High density
1Precipitates
1Rapid thermal annealing
1Stress effects
1Thermal cycle
1Vacancies
1Voids

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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                -Sk "XIANGYANG MA" \
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   |area=    IndiumV3
   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
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   |clé=    XIANGYANG MA
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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024