IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, X. L. Zhou

X. L. Zhang < X. L. Zhou < X. L. Zhu

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000A05 (2010)		Temperature dependent photoluminescence of an In(Ga)As/GaAs quantum dot system with different areal density
000B16 (2010)		Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density
000B24 (2010)		InN layers grown by MOCVD on SrTi03 substrates
000C34 (2010)		Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	III-V compound
4	Photoluminescence
3	Gallium arsenides
3	High density
3	III-V semiconductors
3	Indium arsenides
3	Nanostructured materials
3	Quantum dots
3	Self-assembly
3	Temperature dependence
2	Quantum system
2	Temperature effects
2	Thin films
1	Blue shift
1	Cesium
1	Charge carrier trapping
1	Continuum
1	Crystal defects
1	Epitaxial layers
1	Epitaxy
1	Excitons
1	Growth mechanism
1	Indium nitride
1	Integrated intensity
1	Line widths
1	MOCVD
1	Orientation relation
1	Quenching
1	Rate equation
1	Self-assembled layers
1	Spectral line shift
1	Strontium titanates
1	Surface energy
1	Surface reconstruction
1	Wettability
1	Wetting

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « X. L. Zhou »
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