IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, X. J. Shang

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000906 (2011)		Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell
000991 (2010)		The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
000A00 (2010)		The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots
000A08 (2010)		Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	III-V semiconductors
3	Quantum dots
2	Binary compounds
2	Gallium Arsenides
2	III-V compound
2	Indium Arsenides
2	Indium arsenides
2	Nonlinear refraction
2	Z scan
1	Charge carrier recombination
1	Charge carrier trapping
1	Current density
1	Dark current
1	Electric fields
1	Electro-optical effects
1	Electron mobility
1	Electron scattering
1	Electron temperature
1	Electron-hole recombination
1	Gallium arsenides
1	High field
1	Internal field
1	Molecular beam epitaxy
1	Monolayers
1	Nanostructured materials
1	Nitrogen additions
1	Nonlinear absorption
1	Nonlinear optics
1	Nonlinear refractive index
1	Optical materials
1	Optical properties
1	Phonon scattering
1	Photoluminescence
1	Photovoltaic cell
1	Photovoltaic effects
1	Refractive index
1	Relaxation time
1	Short circuit currents
1	Solar cells
1	Spin relaxation
1	Temperature dependence
1	Volatile organic compound

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « X. J. Shang »
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