IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, X. Gao

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001961 (2004)		Rhombus-like stripe BA InGaAs-AlGaAs-GaAs lasers
001C40 (2003)		Atomic and electronic structure of (√3 x √3)R 30°: In phase on Cu(111)
002376 (1998)		Operating characteristics of InGaAsP/GaAs SCH SQW high power lasers by LPE
002433 (1998)		808nm Al-free InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers fabricated by LPE

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Semiconductor lasers
2	Binary compounds
2	Epitaxy
2	Gallium Arsenides
2	High power
2	Indium Phosphides
2	Quantum wells
2	Quaternary compounds
2	SCH lasers
1	Angular resolution
1	Antireflection coatings
1	Atomic structure
1	Band structure
1	Contact stripe
1	Electric contacts
1	Electric current distribution
1	Electronic structure
1	Experimental study
1	Experiments
1	Far field
1	High reflection coated devices
1	Indium
1	Indium gallium arsenide
1	Light emission
1	Linear phase
1	Liquid phase
1	Mode behavior
1	Molecular beam epitaxy
1	Performance characteristic
1	Photoelectron spectra
1	Quantum well lasers
1	Rhombus like stripe
1	STM
1	Semiconducting gallium arsenide
1	Synchrotron radiation
1	Theory
1	Thin films

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « X. Gao »
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