IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, WEI LIN

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000F24 (2009)		Design and epitaxy of structural III-nitrides
000F48 (2009)		Band Engineering in Strained GaN/ultrathin InN/GaN Quantum Wells
002850 (1992)		The InxGa1-xAsy(0.53 < x < 1, 0 < y < 1) compound semiconductor for LD structures by organometallic vapor-phase epitaxy

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Cathodoluminescence
2	Digital simulation
2	Gallium nitride
2	III-V compound
2	III-V semiconductors
2	Indium nitride
2	MOCVD
2	Nanostructured materials
2	Quantum wells
1	Ab initio calculations
1	Band structure
1	Bending
1	Blue shift
1	Bond lengths
1	Chemical composition
1	Crystal growth
1	Density of states
1	Electroluminescence
1	Electronic density of states
1	Electronic properties
1	Electronic structure
1	Energy gap
1	Epitaxy
1	Experimental study
1	Gallium Indium Arsenides phosphides Mixed
1	Growth from vapor
1	Hole mobility
1	Indium additions
1	Injection laser
1	Inorganic compound
1	Inspection
1	Light emitting diodes
1	MOVPE method
1	Magnesium additions
1	Optoelectronic devices
1	Organometallic compound
1	Phase separation
1	Phosphorus additions
1	Red shift
1	Semiconductor materials
1	Silicon additions
1	Solid solution
1	Spectral line shift
1	Strained quantum well
1	Superlattices
1	Thin film
1	Transmission electron microscopy
1	VPE
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « WEI LIN »
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