IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, W. M. Lau

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001F98 (2000-10)		InP (110) by Time-resolved XPS
002052 (2000)		Time-resolved measurement of surface band bending of cleaved GaAs(110) and InP(110) by high resolution XPS
002165 (1999-10-01)		Band gap state formation in InP (110) induced by 10 and 100 eV argon ion bombardment
002669 (1995-05)		Sulfide-assisted reordering at the InP surface and SiNx/InP interface

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Experimental study
4	Surface states
2	Indium compounds
2	Indium phosphides
2	Valence bands
2	X-ray photoelectron spectra
1	Annealing
1	Band bending
1	Binary compounds
1	Binding energy
1	CV characteristic
1	Chemical composition
1	Electronic structure
1	Energy gap
1	Fermi level
1	Gallium arsenides
1	III-V semiconductors
1	Impurities
1	Interface states
1	Interface structure
1	Ion beam effects
1	Lattice relaxation
1	Order-disorder transformations
1	Phosphorus compounds
1	Silicon nitrides
1	Sulfides
1	Sulfur
1	Surface structure
1	Temperature dependence
1	Temperature range 0400-1000 K
1	Time resolved spectroscopy

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « W. M. Lau »
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