IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, T. R. Yang

T. Pang < T. R. Yang < T. Richardson

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001537 (2006)		Surface and optical properties of AlGaInP films grown on GaAs by metalorganic chemical vapor deposition
001571 (2006)		Photoluminescence characteristics of low indium composition InGaN thin films grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition
001D02 (2002-02-04)		Nitrogen-induced enhancement of the electron effective mass in InNxAs1-x

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Nombre de documents	Descripteur
3	Experimental study
3	III-V semiconductors
2	CVD
2	Chemical composition
2	Crystal growth from vapors
2	MOCVD
2	Photoluminescence
2	Thin films
1	Aluminium phosphides
1	Arsenic compounds
1	Atomic force microscopy
1	Band structure
1	Blende structure
1	Buffer layer
1	Cracks
1	Dislocations
1	Effective mass
1	Epitaxial layers
1	Fluctuations
1	Gallium nitrides
1	Gallium phosphides
1	Hall effect
1	Indium compounds
1	Indium nitrides
1	Indium phosphides
1	Infrared spectra
1	Morphology
1	Optical microscopy
1	Phase separation
1	Quaternary compounds
1	Radiative recombination
1	Raman scattering
1	Reflectivity
1	Semiconductor epitaxial layers
1	Temperature dependence
1	Ternary compounds
1	XRD

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	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « T. R. Yang »
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