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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « R. T. Hsu »
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R. Sundaramoorthy < R. T. Hsu < R. Torbert  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 3.
Ident.Authors (with country if any)Title
002169 (1999-09-13) High breakdown voltage symmetric double δ-doped In0.49Ga0.51P/In0.25Ga0.75As/GaAs high electron mobility transistor
002663 (1995-05-22) Characteristics of a δ -doped GaAs/InGaAs p-channel heterostructure field-effect transistor
002679 (1995-03) Characteristics of δ -doped InGaAs/GaAs pseudomorphic double-quantum-well high electron mobility transistors

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
3Experimental study
3Gallium arsenides
2CVD
2Doped materials
2Indium arsenides
2Quantum wells
1Carrier mobility
1Electrical properties
1Electron mobility
1Field effect transistors
1Gallium compounds
1Heterostructures
1High electron mobility transistors
1III-V semiconductors
1IV characteristic
1Indium compounds
1Junction transistors
1MOCVD
1Semiconductor growth
1Silicon additions
1Ternary compounds
1semiconductor device breakdown

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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   |clé=    R. T. Hsu
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