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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « PENG LIANG »
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PENG LEI < PENG LIANG < PENG LIN  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 1.
Ident.Authors (with country if any)Title
000296 (2013) Dependence of the optoelectronic properties of selenium-hyperdoped silicon on the annealing temperature

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
1Amorphous material
1Annealing temperature
1Carrier density
1Crystalline material
1Crystallinity
1Damage
1Donor center
1Doped materials
1Doping
1Energy gap
1Indium additions
1Ion implantation
1Microelectronic fabrication
1Optoelectronic devices
1Optoelectronic properties
1Optoelectronics
1Phase transitions
1Quantum yield
1Rectification
1Selenium
1Silicon
1Thermal annealing

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
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   |index=    Author.i
   |clé=    PENG LIANG
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Wicri

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024