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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « P. J. Niu »
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P. In < P. J. Niu < P. J. Nugent  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
001609 (2006) InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source
001976 (2004) Optical properties of highly disordered InGaP by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
2III-V semiconductors
2Molecular beam epitaxy
2Photoluminescence
1Crystal growth from vapors
1Decomposition
1Electron mobility
1Energy gap
1Epitaxial film
1Epitaxial layers
1Experimental study
1Gallium arsenides
1Gallium phosphide
1Gallium phosphides
1Hall effect
1Heterojunction bipolar transistors
1Indium phosphide
1Indium phosphides
1Line width
1Mismatch lattice
1Raman spectra
1Rocking curve
1Temperature dependence
1Ternary compounds
1Thick films
1X ray diffraction

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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