IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, P. D. Han

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001782 (2005)		Luminescence properties of multi-layer InGaN quantum dots grown on C- and R-plane sapphire substrates
001B23 (2003)		Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures
002414 (1998)		Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Crystal growth from vapors
2	Experimental study
2	Gallium nitrides
2	III-V semiconductors
2	Indium nitrides
2	Multilayers
2	Photoluminescence
1	Active layer
1	Adatoms
1	Aluminium nitrides
1	Atomic force microscopy
1	Binary compounds
1	CVD
1	Chromium
1	Crystal defect density
1	Density
1	Diffusion
1	Double heterojunction
1	Electroluminescence
1	Growth mechanism
1	Heterojunctions
1	Indium arsenides
1	Inorganic compounds
1	Island structure
1	Light emitting diodes
1	Luminescence
1	MOCVD
1	MOVPE method
1	Molecular beam epitaxy
1	Operating mode
1	Passivation
1	Point defect cluster
1	Property structure relationship
1	Quantum dots
1	Self assembly
1	Semiconductor materials
1	Spontaneous polarization
1	Surface barrier
1	TEM
1	Temperature effects
1	Ternary compounds
1	Thermal annealing
1	VPE
1	Voids

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « P. D. Han »
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