IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, N. H. Zhang

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001709 (2005)		The effect of the AlxGa1-xN/AIN buffer layer on the properties of GaN/Si(111) film grown by NH3-MBE

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
1	Aluminium nitrides
1	Buffer layer
1	Cracks
1	Crystal growth
1	Density
1	Films
1	GSMBE method
1	Gallium nitrides
1	Growth mechanism
1	Indium nitrides
1	Inorganic compounds
1	Molecular beam epitaxy
1	Photoluminescence
1	Semiconductor materials
1	Silicon
1	Substrates
1	Thickness

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « N. H. Zhang »
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