IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, N. C. Chen

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
002038 (2000-02-01)		Strain relaxation in In0.2Ga0.8As/GaAs quantum-well structures by x-ray diffraction and photoluminescence
002039 (2000-02-01)		Carrier depletion by defects levels in relaxed In0.2Ga0.8As/GaAs quantum-well Schottky diodes
002164 (1999-10-18)		Observation of carrier depletion and emission effects on capacitance dispersion in relaxed In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wells
002195 (1999-03-01)		Transition of carrier distribution from a strained to relaxed state in InGaAs/GaAs quantum well

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Experimental study
4	Gallium arsenides
4	III-V semiconductors
4	Indium compounds
4	Semiconductor quantum wells
2	Capacitance
2	DLTS
2	Defect states
2	Stress relaxation
2	XRD
1	Carrier density
1	Dislocation structure
1	Electron traps
1	Hole traps
1	Impurity states
1	Interface states
1	Photoluminescence
1	Schottky barrier diodes
1	TEM

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « N. C. Chen »
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