IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, M. Sadeghi

M. S. Xu < M. Sadeghi < M. Shao

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000E52 (2009)		Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method
001358 (2007)		Metamorphic growth of 1.25-1.29 μm InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
001359 (2007)		Metamorphic InGaAs quantum wells for light emission at 1.3-1.6 μm

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Gallium arsenides
3	Growth mechanism
3	Indium arsenides
2	III-V semiconductors
2	Light emission
2	Molecular beam epitaxy
2	Nanostructured materials
2	Quantum wells
1	Bonding
1	Buffer layer
1	Coatings
1	Crystal growth from vapors
1	Dislocations
1	Electrical properties
1	Epitaxial layers
1	Epitaxy
1	Experimental design
1	III-V compound
1	IV characteristic
1	Interface roughness
1	Laser diodes
1	Luminescence
1	Monolayers
1	Nitrides
1	Optical properties
1	Photoluminescence
1	Quantum well lasers
1	Radiation effects
1	Rapid thermal annealing
1	Rectification
1	Red shift
1	Reflectivity
1	Ridge waveguides
1	Roughness
1	Segregation
1	Semiconductor lasers
1	Spectral line shift
1	Surface states
1	Thermal annealing
1	Threshold current
1	Transmission electron microscopy
1	Waveguide lasers

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « M. Sadeghi »
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