IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, M. J. Kao

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
002558 (1996-08-15)		Photoinduced electron coupling in δ-doped GaAs/In0.18Ga0.82As quantum wells
002663 (1995-05-22)		Characteristics of a δ -doped GaAs/InGaAs p-channel heterostructure field-effect transistor
002679 (1995-03)		Characteristics of δ -doped InGaAs/GaAs pseudomorphic double-quantum-well high electron mobility transistors
002773 (1994-01)		Influences of δ -doping time and spacer thickness on the mobility and two-dimensional electron gas concentration in δ -doped GaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic heterostructures

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Gallium arsenides
4	Indium arsenides
3	CVD
3	Doped materials
3	Experimental study
2	Electron density
2	Heterostructures
2	Quantum wells
2	Ternary compounds
1	Breakdown
1	Carrier mobility
1	Crystal doping
1	Electrical properties
1	Electron gas
1	Electron mobility
1	Electron-electron coupling
1	Field effect transistors
1	IV characteristic
1	Instrumentation
1	Junction transistors
1	Leakage current
1	Photoconductivity
1	Shubnikov-de Haas effect
1	Silicon additions
1	Transistors

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « M. J. Kao »
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