IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, JIEMIN LI

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001674 (2006)		Crack control in GaN grown on silicon (111) using in doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
001952 (2004)		Structural and optical properties of 3D growth multilayer InGaN/GaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
001A34 (2004)		Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(1 1 1) substrate by metalorganic chemical vapor deposition

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Experimental study
3	Gallium nitrides
3	MOCVD
2	Aluminium nitrides
2	CVD
2	Crystal growth from vapors
2	III-V semiconductors
2	Indium nitrides
2	Photoluminescence
2	XRD
1	Activation energy
1	Atomic force microscopy
1	Binary compounds
1	Buffer layer
1	Charge carriers
1	Charge transfer
1	Compressive stress
1	Doped materials
1	Energy dispersive spectroscopy
1	Indium additions
1	Interlayers
1	Line widths
1	Low pressure
1	Monocrystals
1	Morphology
1	Multilayers
1	Optical materials
1	Optical microscopy
1	Optical properties
1	Passivation
1	Quantity ratio
1	Quantum dots
1	Quaternary compounds
1	RBS
1	Silicon
1	Stacking sequence
1	Stress relaxation
1	Temperature dependence
1	Tensile stress
1	Ternary compounds
1	Thermal stresses
1	Thin films

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « JIEMIN LI »
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