IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, J. Y. Chi

J. Xu < J. Y. Chi < J. Y. Dai

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001881 (2004-06)		Electroluminescent Studies of Emission Characteristics of InGaAsN/GaAs Injection Lasers in a Wide Temperature Range
001C73 (2002-08)		Wavelength of Emission from InGaAsN Quantum Wells as a Function of Composition of the Quaternary Compound
001D23 (2002)		The effect of indium tin oxide as an ohmic contact for the 850 nm GaAs oxide-confined VCSELs

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Experimental study
2	Gallium arsenides
2	Indium compounds
2	Nitrogen compounds
2	Semiconductor quantum wells
1	Current density
1	Electric currents
1	Electroluminescent devices
1	Experiments
1	Light emitting devices
1	Ohmic contacts
1	Optical communication
1	Optical data storage
1	Photoluminescence
1	Semiconducting gallium arsenide
1	Semiconducting indium compounds
1	Semiconductor lasers
1	Theory
1	Vertical-cavity surface emitting lasers (VCSEL)

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	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « J. Y. Chi »
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