IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, J. P. Ao

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000D61 (2009)		Preparation and properties of CuInxGa1-xSe2 thin-film solar cell absorbers from selenization of Ga-rich electrodeposited precursors
002093 (2000)		InP-based enhancement-mode pseudomorphic HEMT with strained In0.45Al0.55As barrier and In0.75Ga0.25As channel layers

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
1	Characterization
1	Conduction band discontinuity
1	Copper Indium Gallium Selenides
1	Current density
1	Delta doping
1	Energy gap
1	Experiments
1	Heterojunctions
1	High electron mobility transistors
1	Indium aluminum arsenide
1	Molecular beam epitaxy
1	Natural frequencies
1	Oscillation frequency
1	Preparation
1	Scanning electron microscopy
1	Schottky barrier diodes
1	Schottky contact materials
1	Semiconducting indium gallium arsenide
1	Semiconducting indium phosphide
1	Semiconductor device manufacture
1	Semiconductor doping
1	Solar cell
1	Thin film cell
1	Threshold voltage
1	Transconductance
1	X ray fluorescence

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « J. P. Ao »
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