IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, J. B. Wang

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000836 (2011)		High speed responsive near infrared photodetector focusing on 808 nm radiation using hexadecafluoro-copper-phthalocyanine as the acceptor
001316 (2007)		Raman study of gap mode and lattice disorder effect in InN films prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy
001580 (2006)		Optical properties of InN films grown by molecular beam epitaxy at different conditions
001984 (2004)		Micro-raman study of hexagonal InN thin films grown by reactive sputtering on GaAs

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Indium nitrides
2	Crystal growth from vapors
2	Experimental study
2	III-V semiconductors
2	Raman spectra
1	Absorption edge
1	Absorption spectra
1	Band offset
1	Binary compounds
1	Buffer layer
1	Copper complex
1	Correlation length
1	Crystal defects
1	Defects
1	Diode
1	Doped materials
1	Electron mobility
1	Epitaxy
1	Films
1	Fluctuations
1	Fluoro complex
1	Grain size
1	Growth mechanism
1	Heterojunction
1	Hexagonal lattices
1	High performance
1	Impurity density
1	Indium oxide
1	Infrared detector
1	Infrared spectra
1	Interfaces
1	Lithium fluoride
1	Lorenz model
1	Mapping
1	Metallophthalocyanine
1	Molecular beam epitaxy
1	Near infrared radiation
1	Optical properties
1	Photodetector
1	Photodiode
1	Photoluminescence
1	Planar technology
1	Plasma
1	Plasma assisted processing
1	RHEED
1	Reactive sputtering
1	Response time
1	Spatial resolution
1	Temperature dependence
1	Thin films
1	Time response
1	Tin addition
1	Wurtzite structure

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « J. B. Wang »
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