IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, HUIZHEN WU

HUIZHEN PAN < HUIZHEN WU < HUMAN LIU

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000945 (2011)		Annealing effects of In2O3 thin films on electrical properties and application in thin film transistors
001257 (2007)		Transparent thin-film transistors using ZnMgO as dielectrics and channel

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
1	Active material
1	Amorphous thin film
1	Annealing temperature
1	Capacitor
1	Cathode sputtering
1	Coated material
1	Controlled atmospheres
1	Electrical characteristic
1	Electrical properties
1	Electron density
1	Electron mobility
1	Electronic properties
1	Enhancement mode
1	Flat panel displays
1	Grain size
1	Growth mechanism
1	High k dielectric
1	Indium oxide
1	Leakage current
1	Liquid crystal displays
1	Multiple layer
1	Physical vapor deposition
1	Preferred orientation
1	Sputter deposition
1	Temperature effects
1	Thermal annealing
1	Thin film devices
1	Thin film transistor
1	Thin film transistors
1	Thin films
1	Transparent thin film
1	n type semiconductor

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « HUIZHEN WU »
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