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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « HONGLEI XU »
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HONGLEI MA < HONGLEI XU < HONGLI  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 1.
Ident.Authors (with country if any)Title
001F64 (2001) Damage profiles and damage annealing behavior in Al0.168Ga0.348In0.484P/GaAs implanted with 200 keV Zn+ ions

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
1Aluminium phosphides
1Annealing
1Binary compounds
1Channeling
1Computerized simulation
1Damage
1Energy gap
1Epitaxial layers
1Experimental study
1Gallium arsenides
1Gallium phosphides
1Indium phosphides
1Ion implantation
1Physical radiation effects
1Quaternary compounds
1RBS
1Semiconductor materials
1Solid-solid interfaces
1Zinc ions

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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   |area=    IndiumV3
   |flux=    Chine
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   |index=    Author.i
   |clé=    HONGLEI XU
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