IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, HAN YE

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000609 (2012)		Calculation of critical size of coherent InAs quantum dot on GaAs substrate
000667 (2011)		The structure transition from vertical alignment to anti-alignment of InAs/InP quantum dot multilayers
000F34 (2009)		Critical lateral dimension for a nanoscale-patterned heterostructure using the finite element method

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Finite element method
2	Indium arsenides
2	Quantum dots
2	Thickness
1	Anisotropy
1	Asymptotic approximation
1	Dislocations
1	Elasticity
1	Energy balance
1	Epitaxial layers
1	Gallium Indium Arsenides Mixed
1	Gallium arsenides
1	Gibbs free energy
1	Heterostructures
1	III-V compound
1	III-V semiconductors
1	Indium phosphide
1	Mechanical properties
1	Misfit dislocations
1	Nanopatterning
1	Nanostructured materials
1	Quantum size effect
1	Size effect
1	Strain energy
1	Strained layer
1	Stress distribution
1	Stress relaxation
1	Structure modification
1	Thermodynamic analysis
1	Three dimensional model
1	Total energy
1	Vertical alignment

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « HAN YE »
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