IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, H. Z. Xu

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
002137 (2000)		Annealing effect on the surface morphology and photoluminescence of InGaAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
002228 (1999)		Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots
002253 (1999)		Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) : Special issue papers on quantum dots
002274 (1999)		Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Experimental study
4	Gallium arsenides
4	Indium arsenides
4	Photoluminescence
4	Quantum dots
3	Aluminium arsenides
3	III-V semiconductors
3	Molecular beam epitaxy
3	Ternary compounds
2	Atomic force microscopy
2	Crystal growth from vapors
2	Crystal orientation
2	Self assembly
2	Semiconductor materials
2	Substrates
2	Surfaces
2	TEM
1	Alignment
1	Atomic structure
1	Binary compounds
1	Characterization
1	Epitaxial layers
1	Morphology
1	Multilayers
1	Quantum size effect
1	Rapid thermal annealing
1	Spatial distribution
1	Stress relaxation
1	Surface structure
1	Surface termination
1	Thin films

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « H. Z. Xu »
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