IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, H. W. Li

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001A99 (2003-05-05)		Characteristics of a field-effect transistor with stacked InAs quantum dots
001F08 (2001)		Resonant tunneling through energy states of InAs quantum dots in GaAs metal-semiconductor diode structures
001F36 (2001)		Hysteresis in electronic transport through an ensemble of InAs self-assembled quantum dots
001F37 (2001)		Hysteresis in current transport in a GaAs diode containing self-assembled InAs quantum dots

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Indium arsenides
2	Charge carrier trapping
2	Electronic conductivity
2	Gallium arsenides
2	IV characteristic
2	Quantum dots
2	Self-assembled layers
2	Transport processes
2	Tunnel effect
1	Binary compound
1	Binary compounds
1	Diode
1	Diodes
1	Electrical characteristic
1	Electronic structure
1	Energy levels
1	Excited states
1	Experimental study
1	Hysteresis
1	Hysteresis loop
1	III-V semiconductors
1	Indium compounds
1	Junction gate field effect transistors
1	MSM structure
1	Metal-semiconductor-metal structures
1	Negative differential conductivity
1	Quantum dot
1	Resonant states
1	Resonant tunnelling
1	Self assembly
1	Semiconductor materials
1	Semiconductor quantum dots
1	Single electron transistors
1	Theoretical study
1	Two-dimensional electron gas
1	Voltage current curve

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « H. W. Li »
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