IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, H. F. Hsieh

H. F. Chuang < H. F. Hsieh < H. F. Kung

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
002856 (1992)		Some speculations on the etching mechanism of (100) n-GaP and n-InP in HCl solutions
002892 (1992)		A comparison of the electrochemical behavior of illuminated n-InAs and other III-V semiconductors in concentrated nitrice acid
002918 (1990)		Synergism between chloride and photons in the InP dissolution mechanism

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Semiconductor materials
2	Crystal face
2	Experimental study
2	Indium Phosphides
2	X ray diffraction
1	Aqueous solution
1	Arsenic Indium
1	Chemical composition
1	Chemical etching
1	Dissolution
1	Doping
1	Electrochemical reaction
1	Electrochemistry
1	Electrodes
1	Gallium Phosphides
1	III-V compound
1	Irradiation
1	N type conductivity
1	Nitric acid
1	Oxidation
1	Photochemical method
1	Photoelectric method
1	Photoelectrochemistry
1	Pourbaix diagram
1	Reaction rate
1	Scanning electron microscopy
1	Surface treatment
1	Thin film
1	Ultraviolet visible spectrum
1	pH

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « H. F. Hsieh »
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