IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, H. B. Ye

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000E02 (2009)		Multi-carrier transport properties in p-type ZnO thin films
001277 (2007)		Temperature-dependent photoluminescence of undoped, N-doped and N-in codoped ZnO thin films
001420 (2007)		Electronic band structures and transport properties of wurtzite indium nitride grown by metalorganic vapor phase epitaxy

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Codoping
2	Doping
2	Indium additions
2	Thin films
1	Band structure
1	Binding energy
1	Carrier density
1	Carrier mobility
1	Charge carrier recombination
1	Compensation
1	Critical points
1	Deep level
1	Defect states
1	Degenerate semiconductor
1	Electron localization
1	Electron mobility
1	Electron-electron interactions
1	Electronic structure
1	Electronic transition
1	Free carrier
1	Hall effect
1	III-V compound
1	III-V semiconductors
1	Indium compounds
1	Indium nitrides
1	Inorganic compounds
1	Interfacial layer
1	Magnetic field effects
1	Magnetoresistance
1	Monocrystals
1	Nitrides
1	Nitrogen additions
1	Optical reflection
1	P type conductivity
1	Photoluminescence
1	Reflection spectrum
1	Semiconductor materials
1	Temperature effects
1	Transport processes
1	Transport properties
1	Two-dimensional hole gas
1	Ultraviolet spectra
1	VPE
1	Zinc oxide
1	Zinc oxides

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « H. B. Ye »
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