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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « FUYING ZHU »
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FUYING LI < FUYING ZHU < FUYOU LI  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
000811 (2011) InP/InGaAs/InP DHBT structures with graded composition base grown by gas source molecular beam epitaxy
001388 (2007) Heavily carbon-doped p-type InGaAs grown by gas source molecular beam epitaxy for application to heterojunction bipolar transistors

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
2GSMBE method
2Gallium arsenides
2Heterojunction bipolar transistors
2III-V compound
2III-V semiconductors
2Indium arsenides
2Molecular beam epitaxy
1Ambient temperature
1Annealing
1Arsenic additions
1Beryllium
1Breakdown voltage
1Carbon additions
1Chemical beam epitaxy
1Crystal growth from vapors
1Doping
1Double heterojunction
1Epitaxial layers
1Gallium
1Gallium Arsenides phosphides
1Growth mechanism
1Hole mobility
1Indium phosphide
1Indium phosphides
1Inorganic compounds
1Lamellar structure
1Phosphorus additions
1Temperature dependence
1Temperature effects
1Thin films

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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                -Sk "FUYING ZHU" \
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   |area=    IndiumV3
   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
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   |index=    Author.i
   |clé=    FUYING ZHU
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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024