Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « FANGFANG REN »
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FANGFANG LUO < FANGFANG REN < FANGFANG WANG  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 1.
Ident.Authors (with country if any)Title
000084 (2013) Temperature and gate bias dependence of carrier transport mechanisms in amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents
Descripteur
1Amorphous material
1Drain current
1Electrical characteristic
1Enhancement mode
1Fermi level
1Gallium oxide
1Indium oxide
1Localized state
1Low temperature
1Temperature dependence
1Temperature effect
1Thin film transistor
1Transport process
1Zinc oxide

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/Author.i -k "FANGFANG REN" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/Author.i  \
                -Sk "FANGFANG REN" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/biblio.hfd 

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{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    Author.i
   |clé=    FANGFANG REN
}}

Wicri

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024