Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « FANG YU »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
FANG XIAOHUI < FANG YU < FANG ZHAO  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 1.
Ident.Authors (with country if any)Title
001179 (2008) Effects of indium ion implantation on the total dose hardness of fully depleted SOI NMOSFET

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents
Descripteur
1Depletion layer
1Hardness test
1Ion implantation
1Leakage current
1MOSFET
1Microelectronic fabrication
1NMOS technology
1Silicon on insulator technology
1Two dimensional model
1Voltage threshold
1n channel

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/Author.i -k "FANG YU" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/Author.i  \
                -Sk "FANG YU" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    Author.i
   |clé=    FANG YU
}}

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024