IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, F. Q. Zhang

F. Q. Xu < F. Q. Zhang < F. Qiu

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001B90 (2003)		In0.25Ga0.75As growth on low-temperature thin buffer layers formed on GaAs (001) substrate
001B91 (2003)		In0.25Ga0.75As films growth on the thin GaAs/AlAs buffer layer on the GaAs(0 0 1) substrate
001C24 (2003)		Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs (001) substrate
001F19 (2001)		Organic negative-resistance devices using PPV containing electron-transporting groups on the main chain

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Nombre de documents	Descripteur
3	Atomic force microscopy
3	Buffer layer
3	Experimental study
3	Gallium arsenides
3	III-V semiconductors
3	Indium arsenides
3	Photoluminescence
3	XRD
2	Epitaxial layers
2	Ternary compounds
1	Aluminium arsenides
1	Binary compounds
1	Conjugated copolymer
1	Crystal growth from vapors
1	Defects
1	Film growth
1	Films
1	Heteroepitaxy
1	ITO layers
1	Interlayers
1	Low temperature
1	Molecular beam epitaxy
1	Negative resistance device
1	Organic material
1	Oxadiazole copolymer
1	Phenylene derivative copolymer
1	Phenylenevinylene copolymer
1	Preparation
1	RHEED
1	Size effect
1	Solution polycondensation
1	Strain energy
1	Strained layer
1	Surface structure
1	Terpolymer
1	Thin films
1	Transmission electron microscopy
1	Ultrathin films
1	Use
1	Voltage current curve

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « F. Q. Zhang »
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