IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, DU WANG

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001B43 (2003)		Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method
001D19 (2002)		The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photoluminescence spectrum of nitride multiple quantum wells
001D37 (2002)		Statistical investigation on morphology development of gallium nitride in initial growth stage
001F32 (2001)		Indium doping effect on GaN in the initial growth stage

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Experimental study
4	Gallium nitrides
3	Crystal growth from vapors
3	Low pressure
2	Crystal doping
2	Growth mechanism
2	III-V semiconductors
2	Indium additions
2	Indium nitrides
2	MOVPE method
2	Morphology
2	Thin films
2	VPE
1	Binary compounds
1	CVD
1	Characterization
1	Crystal nucleation
1	Crystal perfection
1	Dimension spectrum
1	Excitation intensity
1	Excitons
1	Impurity effect
1	Localized states
1	Low temperature
1	MOCVD
1	Multilayers
1	Multiple quantum well
1	Passivation
1	Photoluminescence
1	Quantum dots
1	Roughness
1	Semiconductor materials
1	Spectral line shift
1	Statistical analysis
1	Superlattices
1	Surfaces
1	Ternary compounds
1	Wetting

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « DU WANG »
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