IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, C. L. Bao

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001922 (2004)		Transport properties of InAs epilayers grown on GaAs substrates by using the prelayer technique
001B47 (2003)		Strain relaxation of InAs epilayer on GaAs under In-rich conditions
001B53 (2003)		Raman spectroscopic studies of InAs epilayers grown on the GaAs (001) substrates
002047 (2000)		Two-step method to grow InAs epilayer on GaAs substrate using a new prelayer
002245 (1999)		RHEED characterization of InAs/GaAs grown by MBE

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
5	Experimental study
5	III-V semiconductors
5	Indium arsenides
5	Molecular beam epitaxy
4	Epitaxial layers
3	Crystal growth from vapors
3	Heteroepitaxy
3	RHEED
2	Buffer layer
2	Gallium arsenides
2	Heterojunctions
2	In situ
2	Operating mode
2	XRD
1	Binary compounds
1	Carrier density
1	Carrier mobility
1	Controlled atmospheres
1	Electrical properties
1	Growth mechanism
1	Hall effect
1	Low temperature
1	Mismatch lattice
1	Mixing ratio
1	Multilayers
1	Optimization
1	Photoluminescence
1	Pretreatment
1	Raman spectra
1	Stress relaxation
1	Structure relaxation
1	Thin films

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « C. L. Bao »
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