IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, C. D. Beling

C. Cui < C. D. Beling < C. D. Gu

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
002101 (2000)		H-vacancy complex VInH4 abundance and its influences in n-type LEC InP
002134 (2000)		Carrier mobility distribution in annealed undoped LEC InP material
002296 (1998-11-15)		Positron-lifetime study of compensation defects in undoped semi-insulating InP
002326 (1998-04-27)		Formation of PIn defect in annealed liquid-encapsulated Czochralski InP

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Experimental study
3	Annealing
2	Binary compounds
2	Charge compensation
2	Crystal growth from melts
2	Deep energy levels
2	Defect absorption spectra
2	Defect states
2	III-V semiconductors
2	Impurity absorption spectra
2	Impurity states
2	Indium compounds
2	Indium phosphides
2	Infrared spectra
2	Semiconductor materials
2	Vacancies
1	Carrier density
1	Carrier mobility
1	Crystal defect density
1	Crystal defect interaction
1	Czochralski method
1	Defect formation
1	Fourier transform spectra
1	Hall effect
1	Hydrogen additions
1	Impurities
1	Impurity-defect interactions
1	Impurity-vacancy interactions
1	Infrared absorption spectrometry
1	Liquid encapsulation
1	P type conductivity
1	Positron annihilation
1	Temperature dependence
1	Thermal annealing

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « C. D. Beling »
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