IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, BAOZHU WANG

BAOZHENG ZHANG < BAOZHU WANG < BAOZHUANG QU

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Number of relevant bibliographic references: 2.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001264 (2007)		The influence of internal electric fields on the transition energy of InGaN/GaN quantum well
001440 (2007)		Effects of doping on the crystalline quality and composition distribution in InGaN/GaN structure grown by MOCVD

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Gallium nitrides
2	III-V compound
2	III-V semiconductors
2	Indium nitrides
2	Inorganic compounds
2	Nitrides
1	Annealing
1	Atomic force microscopy
1	Computerized simulation
1	Doping
1	Electric field effects
1	Experimental data
1	Experimental result
1	Growth mechanism
1	Growth rate
1	Indium additions
1	Light emitting diodes
1	Luminescence
1	MOCVD
1	Magnesium additions
1	Monolayers
1	Nanostructured materials
1	Optical properties
1	Optoelectronic devices
1	Perturbation theory
1	Quantum effect
1	Quantum wells
1	RBS
1	Silicon additions
1	Stress relaxation
1	Surface morphology
1	Thin films
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « BAOZHU WANG »
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