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Serveur d'exploration sur l'Indium - Curation (Accueil)

Index « Keywords » - entrée « InGaAs »
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InGaAlN < InGaAs < InGaAs/GaAs  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
000349 (1996) High electron mobility 18300 cm2/V·s in the InAIAs/lnGaAs pseudomorphic structure obtained by channel indium composition modulation
000820 (1995) The contraction of lattice constant and the reduction of growth rate in p-InGaAs grown by organometallic vapor phase epitaxy
000C70 (1995) Chemical beam epitaxy and laser-modified chemical beam epitaxy of InGaAs using tris-dimethylaminoarsenic
000E07 (1996) Growth and characterization of heavily carbon doped InGaAs lattice matched to InP by LP-MOCVD using liquid CCI4

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EXPLOR_STEP=IndiumV1/Data/Main/Curation

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   |area=    IndiumV1
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Wicri

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