| Sandrine Guerlet < Sandrine Heutz < Sandrine Imbeaud | Facettes : |
List of bibliographic references
Number of relevant bibliographic references: 1.| Ident. | Authors (with country if any) | Title |
|---|---|---|
| 002705 (2010) | Jules A. Gardener [Royaume-Uni, États-Unis] ; Irving Liaw [Royaume-Uni, Australie] ; Gabriel Aeppli [Royaume-Uni] ; Ian W. Boyd [Royaume-Uni, Australie] ; Richard J. Chater [Royaume-Uni] ; Tim S. Jones [Royaume-Uni] ; David S. Mcphail [Royaume-Uni] ; Gopinathan Sankar [Royaume-Uni] ; A Marshall Stoneham [Royaume-Uni] ; Marcin Sikora [France, Pologne] ; Geoff Thornton [Royaume-Uni] ; Sandrine Heutz [Royaume-Uni] | A novel route for the inclusion of metal dopants in silicon |
List of associated KwdEn.i
| Nombre de documents | Descripteur |
|---|---|
| 1 | Appl |
| 1 | Cambridge university press |
| 1 | Dopant |
| 1 | Edge position |
| 1 | Gure |
| 1 | Interstitial |
| 1 | Lett |
| 1 | London centre |
| 1 | London wc1e |
| 1 | Metal atoms |
| 1 | Metal dopants |
| 1 | Mnpc |
| 1 | Nanotechnology |
| 1 | Phys |
| 1 | Present address |
| 1 | Room temperature |
| 1 | Sims |
| 1 | Unit cell |
| 1 | University college london |
| 1 | Wafer |
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