Caractérisation de l'interface métal-diélectrique par l'étude de l'impédance complexe des structures Al/CdS/Au obtenues par pulvérisation cathodique
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Auteurs : A. Piel [France] ; H. Murray [France]Source :
- Thin Solid Films [ 0040-6090 ] ; 1978.
Abstract
L'étude de l'impédance complexe des structures pulvérisées Al/CdS/Au fournit un élement important de la connaissance des phénomènes d'interface pour des couches très minces d'épaisseur inférieure à 800 Å si les résultants expérimentaux sont interprétés à partir du modèle de Maxwell-Wagner. Nous avons en effet observé qu'un traitement thermique peut faire apparaître des zones semi- conductrices dont les épaisseurs sont inférieures à 300 Å. Les variations de conduction relevées en fonction de la température introduisent une énergie d'activation comprise entre 0,4 et 1 eV. Une étude comparative menée simultanément sur la restructuration de l'électrode de base et sur les variations de capacité montre la prédominance de l'état de surface du métal sur les propriétés d'interface. Ainsi, nous avons été conduits à définir une limitation de la température d'utilisation à 440 K, au delá de laquelle des phénomènes irréversibles modifient les propriétés spécifiques des cellules sandwich photovoltaïques.
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DOI: 10.1016/0040-6090(78)90057-3
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- to stream Istex, to step Corpus: 000848
- to stream Istex, to step Curation: 000848
- to stream Istex, to step Checkpoint: 001613
- to stream Main, to step Merge: 002B46
- to stream Main, to step Curation: 002A66
Le document en format XML
<record><TEI wicri:istexFullTextTei="biblStruct"><teiHeader><fileDesc><titleStmt><title xml:lang="fr">Caractérisation de l'interface métal-diélectrique par l'étude de l'impédance complexe des structures Al/CdS/Au obtenues par pulvérisation cathodique</title>
<author><name sortKey="Piel, A" sort="Piel, A" uniqKey="Piel A" first="A." last="Piel">A. Piel</name>
</author>
<author><name sortKey="Murray, H" sort="Murray, H" uniqKey="Murray H" first="H." last="Murray">H. Murray</name>
</author>
</titleStmt>
<publicationStmt><idno type="wicri:source">ISTEX</idno>
<idno type="RBID">ISTEX:480E96281E73B3518371A103F44E2F386B9553AB</idno>
<date when="1978" year="1978">1978</date>
<idno type="doi">10.1016/0040-6090(78)90057-3</idno>
<idno type="url">https://api.istex.fr/document/480E96281E73B3518371A103F44E2F386B9553AB/fulltext/pdf</idno>
<idno type="wicri:Area/Istex/Corpus">000848</idno>
<idno type="wicri:Area/Istex/Curation">000848</idno>
<idno type="wicri:Area/Istex/Checkpoint">001613</idno>
<idno type="wicri:doubleKey">0040-6090:1978:Piel A:caracterisation:de:l</idno>
<idno type="wicri:Area/Main/Merge">002B46</idno>
<idno type="wicri:Area/Main/Curation">002A66</idno>
<idno type="wicri:Area/Main/Exploration">002A66</idno>
</publicationStmt>
<sourceDesc><biblStruct><analytic><title level="a" type="main" xml:lang="fr">Caractérisation de l'interface métal-diélectrique par l'étude de l'impédance complexe des structures Al/CdS/Au obtenues par pulvérisation cathodique</title>
<author><name sortKey="Piel, A" sort="Piel, A" uniqKey="Piel A" first="A." last="Piel">A. Piel</name>
<affiliation wicri:level="1"><country xml:lang="fr">France</country>
<wicri:regionArea>Laboratoire d'Electronique et d'Automatique, U.E.R. des Sciences et Techniques, B.P. 4006</wicri:regionArea>
<wicri:noRegion>B.P. 4006</wicri:noRegion>
<wicri:noRegion>B.P. 4006</wicri:noRegion>
</affiliation>
</author>
<author><name sortKey="Murray, H" sort="Murray, H" uniqKey="Murray H" first="H." last="Murray">H. Murray</name>
<affiliation wicri:level="1"><country xml:lang="fr">France</country>
<wicri:regionArea>Laboratoire d'Electronique et d'Automatique, U.E.R. des Sciences et Techniques, B.P. 4006</wicri:regionArea>
<wicri:noRegion>B.P. 4006</wicri:noRegion>
<wicri:noRegion>B.P. 4006</wicri:noRegion>
</affiliation>
</author>
</analytic>
<monogr></monogr>
<series><title level="j">Thin Solid Films</title>
<title level="j" type="abbrev">TSF</title>
<idno type="ISSN">0040-6090</idno>
<imprint><publisher>ELSEVIER</publisher>
<date type="published" when="1978">1978</date>
<biblScope unit="volume">55</biblScope>
<biblScope unit="issue">2</biblScope>
<biblScope unit="page" from="261">261</biblScope>
<biblScope unit="page" to="273">273</biblScope>
</imprint>
<idno type="ISSN">0040-6090</idno>
</series>
<idno type="istex">480E96281E73B3518371A103F44E2F386B9553AB</idno>
<idno type="DOI">10.1016/0040-6090(78)90057-3</idno>
<idno type="PII">0040-6090(78)90057-3</idno>
</biblStruct>
</sourceDesc>
<seriesStmt><idno type="ISSN">0040-6090</idno>
</seriesStmt>
</fileDesc>
<profileDesc><textClass></textClass>
<langUsage><language ident="fr">fr</language>
</langUsage>
</profileDesc>
</teiHeader>
<front><div type="abstract" xml:lang="fr">L'étude de l'impédance complexe des structures pulvérisées Al/CdS/Au fournit un élement important de la connaissance des phénomènes d'interface pour des couches très minces d'épaisseur inférieure à 800 Å si les résultants expérimentaux sont interprétés à partir du modèle de Maxwell-Wagner. Nous avons en effet observé qu'un traitement thermique peut faire apparaître des zones semi- conductrices dont les épaisseurs sont inférieures à 300 Å. Les variations de conduction relevées en fonction de la température introduisent une énergie d'activation comprise entre 0,4 et 1 eV. Une étude comparative menée simultanément sur la restructuration de l'électrode de base et sur les variations de capacité montre la prédominance de l'état de surface du métal sur les propriétés d'interface. Ainsi, nous avons été conduits à définir une limitation de la température d'utilisation à 440 K, au delá de laquelle des phénomènes irréversibles modifient les propriétés spécifiques des cellules sandwich photovoltaïques.</div>
</front>
</TEI>
<affiliations><list><country><li>France</li>
</country>
</list>
<tree><country name="France"><noRegion><name sortKey="Piel, A" sort="Piel, A" uniqKey="Piel A" first="A." last="Piel">A. Piel</name>
</noRegion>
<name sortKey="Murray, H" sort="Murray, H" uniqKey="Murray H" first="H." last="Murray">H. Murray</name>
</country>
</tree>
</affiliations>
</record>
Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)
EXPLOR_STEP=$WICRI_ROOT/Wicri/France/explor/LeHavreV1/Data/Main/Exploration
HfdSelect -h $EXPLOR_STEP/biblio.hfd -nk 002A66 | SxmlIndent | more
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HfdSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Main/Exploration/biblio.hfd -nk 002A66 | SxmlIndent | more
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{{Explor lien |wiki= Wicri/France |area= LeHavreV1 |flux= Main |étape= Exploration |type= RBID |clé= ISTEX:480E96281E73B3518371A103F44E2F386B9553AB |texte= Caractérisation de l'interface métal-diélectrique par l'étude de l'impédance complexe des structures Al/CdS/Au obtenues par pulvérisation cathodique }}
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