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Serveur d'exploration sur les relations entre la France et l'Australie - Checkpoint (PascalFrancis)

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Germanate < Germanium < Germanium Oxyde  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 8.
Ident.Authors (with country if any)Title
001965 (2011) Alsayed Abdel Aal [Allemagne] ; Rihab Al-Salman [Allemagne] ; Mohammad Al-Zoubi [Allemagne] ; Natalia Borissenko [Allemagne] ; Frank Endres [Allemagne] ; Oliver Höfft [Allemagne] ; Alexandra Prowald [Allemagne] ; Sherif Zein El Abedin [Allemagne, Égypte]Interfacial electrochemistry and electrodeposition from some ionic liquids: In situ scanning tunneling microscopy, plasma electrochemistry, selenium and macroporous materials
002349 (2010) B. C. Johnson [Australie] ; P. Caradonna [Australie] ; D. J. Pyke [Australie] ; J. C. Mccallum [Australie] ; P. Gortmaker [Australie]Hydrogen in amorphous Si and Ge during solid phase epitaxy
003771 (2007) Kay Schuster [Allemagne] ; Jens Kobelke [Allemagne] ; Stephan Grimm [Allemagne] ; Anka Schwuchow [Allemagne] ; Johannes Kirchhof [Allemagne] ; Hartmut Bartelt [Allemagne] ; Andreas Gebhardt [Allemagne] ; Philippe Leproux [France] ; Vincent Couderc [France] ; Waclaw Urbanczyk [Pologne]Microstructured fibers with highly nonlinear materials
003826 (2007) P. D. Szkutnik [France] ; A. Sgarlata [Italie] ; N. Motta [Australie] ; E. Placidi [Italie] ; I. Berbezier [France] ; A. Balzarotti [Italie]Influence of patterning on the nucleation of Ge islands on Si and SiO2 surfaces
003C59 (2006) D. Colombo [Italie] ; E. Grilli [Italie] ; M. Guzzi [Italie] ; S. Sanguinetti [Italie] ; A. Fedorov [Italie, Russie] ; H. Von K Nel [Italie] ; G. Isella [Italie]Study of thermal strain relaxation in GaAs grown on Ge/Si substrates Study of thermal strain relaxation in GaAs grown on Ge/Si substrates
003C98 (2006) Lorenzo Colace [Italie] ; Michele Balbi [Italie] ; Gianlorenzo Masini [Italie] ; Gaetano Assanto [Italie] ; Hsin-Chiao Luan [États-Unis] ; Lionel C. Kimerling [États-Unis]Si-based near infrared photodetectors operating at 10Gbit/s
003F51 (2006) A. Fonseca [Portugal] ; N. A. Sobolev [Portugal] ; J. P. Leitao [Portugal] ; E. Alves [Portugal] ; M. C. Carmo [Portugal] ; N. D. Zakharov [Allemagne] ; P. Werner [Allemagne] ; A. A. Tonkikh [Russie] ; G. E. Cirlin [Russie]Influence of defects on the optical and structural properties of Ge dots embedded in an Si/Ge superlattice
006C26 (1993) D. G. Li [Australie] ; N. S. Mcalpine ; D. HanemanProgression of cleavage in Si, Ge, and GaAs

List of associated Author.i

Nombre de
documents		Descripteur
1A. A. Tonkikh
1A. Balzarotti
1A. Fedorov
1A. Fonseca
1A. Sgarlata
1Alexandra Prowald
1Alsayed Abdel Aal
1Andreas Gebhardt
1Anka Schwuchow
1B. C. Johnson
1D. Colombo
1D. G. Li
1D. Haneman
1D. J. Pyke
1E. Alves
1E. Grilli
1E. Placidi
1Frank Endres
1G. E. Cirlin
1G. Isella
1Gaetano Assanto
1Gianlorenzo Masini
1H. Von K Nel
1Hartmut Bartelt
1Hsin-Chiao Luan
1I. Berbezier
1J. C. Mccallum
1J. P. Leitao
1Jens Kobelke
1Johannes Kirchhof
1Kay Schuster
1Lionel C. Kimerling
1Lorenzo Colace
1M. C. Carmo
1M. Guzzi
1Michele Balbi
1Mohammad Al-Zoubi
1N. A. Sobolev
1N. D. Zakharov
1N. Motta
1N. S. Mcalpine
1Natalia Borissenko
1Oliver Höfft
1P. Caradonna
1P. D. Szkutnik
1P. Gortmaker
1P. Werner
1Philippe Leproux
1Rihab Al-Salman
1S. Sanguinetti
1Sherif Zein El Abedin
1Stephan Grimm
1Vincent Couderc
1Waclaw Urbanczyk

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