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Serveur d'exploration sur Pittsburgh - Checkpoint (PascalFrancis)

Index « Auteurs » - entrée « Robert F. Davis »
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Robert Edwards < Robert F. Davis < Robert F. Jr Lemanske  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 3.
Ident.Authors (with country if any)Title
000268 (2014) FANG LIU [États-Unis] ; LI HUANG [États-Unis] ; Ranga Kamaladasa [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis] ; Edward A. Preble [États-Unis] ; Tanya Paskova [États-Unis] ; Keith R. Evans [États-Unis] ; Robert F. Davis [États-Unis] ; Lisa M. Porter [États-Unis]Site-specific comparisons of V-defects and threading dislocations in InGaN/GaN multi-quantum-wells grown on SiC and GaN substrates
000312 (2014) Krishna Shenai [États-Unis] ; Michael Dudley [États-Unis] ; Robert F. Davis [États-Unis]Rugged Electrical Power Switching in Semiconductors: A Systems Approach
003007 (2012) LI HUANG [États-Unis] ; FANG LIU [États-Unis] ; JINGXI ZHU [États-Unis] ; Ranga Kamaladasa [États-Unis] ; Edward A. Preble [États-Unis] ; Tanya Paskova [États-Unis] ; Keith Evans [États-Unis] ; Lisa Porter [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis] ; Robert F. Davis [États-Unis]Microstructure of epitaxial GaN films grown on chemomechanically polished GaN(0001 ) substrates

List of associated FC03.fr.i

Nombre de
documents		Descripteur
2Composé III-V
2Couche mince
2Couche épitaxique
2Dislocation filetée
2GaN
2Homoépitaxie
2Nucléation
2Semiconducteur III-V
2Substrat GaN
1.
16166
16172L
16460Q
16855J
18115K
1Accommodation réseau
1Alimentation électrique
1Commutation électrique
1Convertisseur puissance
1Couche épaisse
1Croissance film
1Densité défaut
1Dispositif plasma
1Dispositif semiconducteur
1Défaut
1Défaut cristallin
1Effet contrainte
1Electronique puissance
1Epitaxie
1Etude expérimentale
1Fiabilité
1Formation défaut
1Formation image
1Grande puissance
1Générateur électrique
1Haute performance
1Hétérostructure
1InGaN
1Interface
1Joint grain
1Long terme
1Microscopie force atomique
1Microscopie électronique
1Microscopie électronique transmission
1Microstructure
1Mécanisme croissance
1Méthode MOVPE
1Nitrure de gallium
1Orientation grain
1Oxyde de silicium
1Paramètre cristallin
1Puits quantique multiple
1Pénétration marché
1Rupture
1Réaction dirigée
1Réseau électrique
1Semiconducteur bande interdite large
1Silicium
1Structure cristalline
1Substrat AlN
1Substrat SiC
1TDS
1Technologie MOS
1Transistor MOSFET
1Transistor effet champ

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