Composé III-V And NotScott X. Mao

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 5.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000268	FANG LIU [États-Unis] ; LI HUANG [États-Unis] ; Ranga Kamaladasa [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis] ; Edward A. Preble [États-Unis] ; Tanya Paskova [États-Unis] ; Keith R. Evans [États-Unis] ; Robert F. Davis [États-Unis] ; Lisa M. Porter [États-Unis]	Site-specific comparisons of V-defects and threading dislocations in InGaN/GaN multi-quantum-wells grown on SiC and GaN substrates
000C35	K. S. Min [Corée du Sud] ; S. H. Kang [Corée du Sud] ; J. K. Kim [Corée du Sud] ; J. H. Yum [États-Unis] ; Y. I. Jhon [États-Unis] ; Todd W. Hudnall [États-Unis] ; C. W. Bielawski [États-Unis] ; S. K. Banerjee [États-Unis] ; G. Bersuker [États-Unis] ; M. S. Jhon [États-Unis] ; G. Y. Yeom [Corée du Sud]	Atomic layer etching of BeO using BCl3/Ar for the interface passivation layer of III-V MOS devices
002056	K. S. Min [Corée du Sud] ; S. H. Kang [Corée du Sud] ; J. K. Kim [Corée du Sud] ; Y. I. Jhon [États-Unis] ; M. S. Jhon [États-Unis] ; G. Y. Yeom [Corée du Sud]	Atomic layer etching of A12O3 using BCl3/Ar for the interface passivation layer of III-V MOS devices : Nanofabrication 2012
003007	LI HUANG [États-Unis] ; FANG LIU [États-Unis] ; JINGXI ZHU [États-Unis] ; Ranga Kamaladasa [États-Unis] ; Edward A. Preble [États-Unis] ; Tanya Paskova [États-Unis] ; Keith Evans [États-Unis] ; Lisa Porter [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis] ; Robert F. Davis [États-Unis]	Microstructure of epitaxial GaN films grown on chemomechanically polished GaN(0001 ) substrates
003188	A. Persano [Italie] ; A. Tazzoli [Italie, États-Unis] ; P. Farinelli [Italie] ; G. Meneghesso [Italie] ; P. Siciliano [Italie] ; F. Quaranta [Italie]	K-band capacitive MEMS switches on GaAs substrate: Design, fabrication, and reliability

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.6.38.
Data generation: Fri Jun 18 17:37:45 2021. Site generation: Fri Jun 18 18:15:47 2021