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Serveur d'exploration sur les relations entre la France et l'Australie - Checkpoint (PascalFrancis)

Index « FC03.fr.i » - entrée « Densité porteur charge »
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Densité population < Densité porteur charge < Densité potentielle  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 7.
Ident.Authors (with country if any)Title
000593 (2013) Mamatimin Abbas [Autriche, France] ; Almantas Pivrikas [Autriche, Australie] ; Elif Arici [Autriche, Turquie] ; Nalan Tekin [Turquie] ; Mujeeb Ullah [Autriche] ; Helmut Sitter [Autriche] ; Niyazi Serdar Sariciftci [Autriche]Temperature dependent charge transport in organic field-effect transistors with the variation of both carrier concentration and electric field
002877 (2009) B. Abendroth [Australie] ; S. H. N. Lim [Australie] ; A. Poppleton [Australie] ; S. Remadi [France] ; M. M. M. Bilek [Australie] ; D. R. Mckenzie [Australie]Relation of optical and electrical properties to the microstructure of intrinsic transparent conducting ZnO thin films
003B44 (2006) Susan Schorr [Allemagne] ; Michael Tovar [Allemagne] ; Norbert Stuesser [Allemagne] ; Denis Sheptyakov [Suisse] ; Guillaume Geandier [France]Where the atoms are : Cation disorder and anion displacement in DIIXVI-AIBIIIXVI2 semiconductors
003F73 (2006) N. Sfina [Tunisie] ; J.-L. Lazzari [France] ; P. Christol [France] ; Y. Cuminal [France] ; M. Said [Tunisie]I induced electrostatic confinement of electron gas in W-designed strain-compensated Si/Si1- xGex/Si type-II quantum wells
003F89 (2006) Delphine Marris-Morini [France] ; Xavier Le Roux [France] ; Daniel Pascal [France] ; Laurent Vivien [France] ; Eric Cassan [France] ; Jean Marc Fedeli [France] ; Jean Francois Damlencourt [France] ; David Bouville [France] ; José Palomo [France] ; Suzanne Laval [France]High speed all-silicon optical modulator
004869 (2004) R. T. Cox [France] ; R. B. Miller [Australie] ; K. Saminadayar [France] ; T. Baron [France]Trions, excitons, and scattering states in multiple quantum wells with a variable-concentration electron gas
004F89 (2003) I. Manic [Serbie] ; S. Djoric-Veljkovic [Serbie] ; V. Davidovic [Serbie] ; D. Dankovic [Serbie] ; S. Golubovic [Serbie] ; S. Dimitrijev [Australie] ; N. Stojadinovic [Serbie]Effects of negative gate bias stressing in thick gate oxides for power VDMOSFETS

List of associated Author.i

Nombre de
documents		Descripteur
1A. Poppleton
1Almantas Pivrikas
1B. Abendroth
1D. Dankovic
1D. R. Mckenzie
1Daniel Pascal
1David Bouville
1Delphine Marris-Morini
1Denis Sheptyakov
1Elif Arici
1Eric Cassan
1Guillaume Geandier
1Helmut Sitter
1I. Manic
1J.-L. Lazzari
1Jean Francois Damlencourt
1Jean Marc Fedeli
1José Palomo
1K. Saminadayar
1Laurent Vivien
1M. M. M. Bilek
1M. Said
1Mamatimin Abbas
1Michael Tovar
1Mujeeb Ullah
1N. Sfina
1N. Stojadinovic
1Nalan Tekin
1Niyazi Serdar Sariciftci
1Norbert Stuesser
1P. Christol
1R. B. Miller
1R. T. Cox
1S. Dimitrijev
1S. Djoric-Veljkovic
1S. Golubovic
1S. H. N. Lim
1S. Remadi
1Susan Schorr
1Suzanne Laval
1T. Baron
1V. Davidovic
1Xavier Le Roux
1Y. Cuminal

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

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