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Serveur d'exploration sur les relations entre la France et l'Australie - Checkpoint (PascalFrancis)

Index « Auteurs » - entrée « M. Godlewski »
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M. Gobbetti < M. Godlewski < M. Goldberg  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 3.
Ident.Authors (with country if any)Title
002956 (2009) M. Godlewski [Pologne] ; A. Wojcik-Glodowska [Pologne] ; E. Guziewicz [Pologne] ; S. Yatsunenko [Pologne] ; A. Zakrzewski [Pologne] ; Y. Dumont [France] ; E. Chikoidze [France] ; M. R. Phillips [Australie]Optical properties of manganese doped wide band gap ZnS and ZnO
002975 (2009) M. Godlewski [Pologne] ; S. Yatsunenko [Pologne] ; A. Nadolska [Pologne] ; A. Opalinska [Pologne] ; W. Lojkowski [Pologne] ; K. Drozdowicz-Tomsia [Australie] ; E. M. Goldys [Australie]Nanoparticles doped with TM and RE ions for applications in optoelectronics
005A94 (2000) E. M. Goldys [Australie] ; M. Godlewski [Pologne] ; R. Langer [France] ; A. Barski [France]Surface morphology of cubic and wurtzite GaN films

List of associated FC03.fr.i

Nombre de
documents		Descripteur
24270
2Matériau optique
2Propriété optique
16835B
16855J
17855E
17855H
17867
18560J
1Addition lanthanide
1Addition métal transition
1Cathodoluminescence
1Composé binaire
1Couche mince
1Diode électroluminescente
1Epitaxie phase vapeur
1Etude expérimentale
1Fluorescence
1Ga N
1GaN
1Gallium nitrure
1Ion lanthanide
1Ion métallique
1Lanthanide
1Lumière blanche
1Manganèse
1Matériau dopé
1Matériau luminescent
1Matériau semiconducteur
1Métal transition
1Nanoparticule
1O Zn
1Oxyde de zinc
1Photoionisation
1Plasmon surface
1Recombinaison radiative
1Relation fabrication propriété
1Réseau cubique
1S Zn
1Semiconducteur II-VI
1Source rayonnement
1Structure granulaire
1Structure surface
1Structure wurtzite
1Zinc Oxyde
1Zinc Sulfure
1ZnO
1ZnS

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