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Serveur d'exploration sur les relations entre la France et l'Australie - Exploration (Accueil)

Index « Keywords » - entrée « III-V semiconductors »
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III-V compound < III-V semiconductors < IL, interleukin  Facettes :

List of bibliographic references indexed by III-V semiconductors

Number of relevant bibliographic references: 11.
Ident.Authors (with country if any)Title
004283 (2014) Maria De La Mata [Espagne] ; César Magen [Espagne] ; Philippe Caroff [France, Australie] ; Jordi Arbiol [Espagne]Atomic Scale Strain Relaxation in Axial Semiconductor III-V Nanowire Heterostructures
004D18 (2013) Esther Alarcon-Llado [Suisse] ; S Nia Conesa-Boj [Suisse] ; Xavier Wallart [France] ; Philippe Caroff [France, Australie] ; Anna Fontcuberta I Morral [Suisse]Raman spectroscopy of self-catalyzed GaAs1-xSbx nanowires grown on silicon
006886 (2011) L. Matekovits [Australie] ; M. Heimlich [Australie] ; K. P. Esselle [Australie]Numerical analysis of 2D tunable HIS on GaAs support
007631 (2010) C. Kieleck [France] ; M. Eichhorn [France] ; D. Faye [France] ; E. Lallier [France] ; S. D. Jackson [Australie]Polarization effects and fiber-laser-pumping of a 2-μ-pumped OP-GaAs OPO
007982 (2010) Kimberly A. Dick [Suède] ; Philippe Caroff [Suède, France] ; Jessica Bolinsson [Suède] ; Maria E. Messing [Suède] ; Jonas Johansson [Suède] ; Knut Deppert [Suède] ; L. Reine Wallenberg [Suède] ; Lars Samuelson [Suède]Control of III-V nanowire crystal structure by growth parameter tuning
009B90 (2006) T. V. Shubina [Russie] ; D. S. Plotnikov [Russie] ; A. Vasson [France] ; J. Leymarie [France] ; M. Larsson [France] ; P. O. Holtz [Suède] ; B. Monemar [Suède] ; HAI LU [États-Unis] ; W. J. Schaff [États-Unis] ; P. S. Kop'Ev [Russie]Surface-plasmon resonances in indium nitride with metal-enriched nano-particles
009E17 (2006) B. Kunert [Allemagne] ; K. Volz [Allemagne] ; I. Nemeth [Allemagne] ; W. Stolz [Allemagne]Luminescence investigations of the GaP-based dilute nitride Ga(NAsP) material system
009E45 (2006) R. Singh [Allemagne] ; I. Radu [Allemagne] ; R. Scholz [Allemagne] ; C. Himcinschi [Allemagne] ; U. Gösele [Allemagne] ; S. H. Christiansen [Allemagne]Investigation of helium implantation induced blistering in InP
00AC12 (2004) Bénédicte Maleyre [France] ; Olivier Briot [France] ; Sandra Ruffenach [France]MOVPE growth of InN films and quantum dots
00AD56 (2004) I. M. Tiginyanu [Moldavie] ; S. Langa [Moldavie, Allemagne] ; L. Sirbu [Moldavie] ; E. Monaico [Moldavie] ; M. A. Stevens-Kalceff [Australie] ; H. Föll [Allemagne]Cathodoluminescence microanalysis of porous GaP and InP structures
00AD95 (2004) O. Briot [France] ; B. Maleyre [France] ; S. Ruffenach [France] ; B. Gil [France] ; C. Pinquier [France] ; F. Demangeot [France] ; J. Frandon [France]Absorption and Raman scattering processes in InN films and dots

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