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|---|
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| 000116 (2012) |
Enrico Prati [Italie] ; Marco De Michielis [Italie] ; Matteo Belli [Italie] ; Simone Cocco [Italie] ; Marco Fanciulli [Italie] ; Dharmraj Kotekar-Patil [Allemagne] ; Matthias Ruoff [Allemagne] ; Dieter P. Kern [Allemagne] ; David A. Wharam [Allemagne] ; Jan Verduijn [Pays-Bas, Australie] ; Giuseppe C. Tettamanzi [Pays-Bas, Australie] ; Sven Rogge [Pays-Bas, Australie] ; Benoit Roche [France] ; Romain Wacquez [France] ; Xavier Jehl [France] ; Maud Vinet [France] ; Marc Sanquer [France] | Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors |
| 000121 (1999) |
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| 000164 (2011) |
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| 000230 (2012) |
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| 000363 (2000) |
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