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Serveur d'exploration sur les relations entre la France et l'Australie - Analysis (Allemagne)

Index « Auteurs » - entrée « David A. Wharam »
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David A. Wardle < David A. Wharam < David A. Wheeler  Facettes :

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Ident.Authors (with country if any)Title
001658 (2012) Enrico Prati [Italie] ; Marco De Michielis [Italie] ; Matteo Belli [Italie] ; Simone Cocco [Italie] ; Marco Fanciulli [Italie] ; Dharmraj Kotekar-Patil [Allemagne] ; Matthias Ruoff [Allemagne] ; Dieter P. Kern [Allemagne] ; David A. Wharam [Allemagne] ; Jan Verduijn [Pays-Bas, Australie] ; Giuseppe C. Tettamanzi [Pays-Bas, Australie] ; Sven Rogge [Pays-Bas, Australie] ; Benoit Roche [France] ; Romain Wacquez [France] ; Xavier Jehl [France] ; Maud Vinet [France] ; Marc Sanquer [France]Few electron limit of n-type metal oxide semiconductor single electron transistors

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
1Accumulation channel
1Addition energies
1Addition energy
1Appl
1Central planes
1Cmos
1Cmos technology
1Complementary metal oxide semiconductor
1Coulomb
1Drain contacts
1Electron beam lithography
1Electron density
1Electron occupancy
1Electronic transport
1Gate length
1Gate level patterning
1Gate voltage
1High addition energies
1Interface roughness
1Lett
1Metal oxide silicon sets
1Nanotechnology
1Nanowire
1Nitride spacers
1Oxide
1Oxide thickness
1Phys
1Quantum
1Quantum circuits
1Quantum transport
1Room temperature
1Silicon
1Silicon dioxide
1Silicon nanowire
1Silicon quantum
1Silicon thickness
1Similar samples
1Simulation
1Single electron transistors
1Threshold voltage
1Transistor

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