G. Y. Yee < G. Y. Yeom < G. Yin | Facettes : |
List of bibliographic references
Number of relevant bibliographic references: 2.Ident. | Authors (with country if any) | Title |
---|---|---|
000C35 (2014) | K. S. Min [Corée du Sud] ; S. H. Kang [Corée du Sud] ; J. K. Kim [Corée du Sud] ; J. H. Yum [États-Unis] ; Y. I. Jhon [États-Unis] ; Todd W. Hudnall [États-Unis] ; C. W. Bielawski [États-Unis] ; S. K. Banerjee [États-Unis] ; G. Bersuker [États-Unis] ; M. S. Jhon [États-Unis] ; G. Y. Yeom [Corée du Sud] | Atomic layer etching of BeO using BCl3/Ar for the interface passivation layer of III-V MOS devices |
002056 (2013) | K. S. Min [Corée du Sud] ; S. H. Kang [Corée du Sud] ; J. K. Kim [Corée du Sud] ; Y. I. Jhon [États-Unis] ; M. S. Jhon [États-Unis] ; G. Y. Yeom [Corée du Sud] | Atomic layer etching of A12O3 using BCl3/Ar for the interface passivation layer of III-V MOS devices : Nanofabrication 2012 |
List of associated FC03.fr.i
Nombre de documents | Descripteur |
---|---|
2 | Composé III-V |
2 | Couche interfaciale |
2 | Couche ultramince |
2 | Diélectrique permittivité élevée |
2 | Endommagement |
2 | Gravure |
2 | Passivation |
2 | Rugosité |
2 | Semiconducteur III-V |
2 | Structure MOS |
1 | 6843 |
1 | Adsorption |
1 | Al2O3 |
1 | Alumine |
1 | Dispositif semiconducteur |
1 | Désorption |
1 | Minimisation |
1 | Stoechiométrie |
1 | Vitesse gravure |
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EXPLOR_STEP=$WICRI_ROOT/Wicri/Amérique/explor/PittsburghV1/Data/PascalFrancis/Checkpoint
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/PascalFrancis/Checkpoint/Author.i -k "G. Y. Yeom"
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/PascalFrancis/Checkpoint/Author.i \ -Sk "G. Y. Yeom" \ | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/PascalFrancis/Checkpoint/biblio.hfd
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