| Structure 3 dimensions < Structure MOS < Structure adsorption | Facettes : |
List of bibliographic references
Number of relevant bibliographic references: 2.| Ident. | Authors (with country if any) | Title |
|---|---|---|
| 000C35 (2014) | K. S. Min [Corée du Sud] ; S. H. Kang [Corée du Sud] ; J. K. Kim [Corée du Sud] ; J. H. Yum [États-Unis] ; Y. I. Jhon [États-Unis] ; Todd W. Hudnall [États-Unis] ; C. W. Bielawski [États-Unis] ; S. K. Banerjee [États-Unis] ; G. Bersuker [États-Unis] ; M. S. Jhon [États-Unis] ; G. Y. Yeom [Corée du Sud] | Atomic layer etching of BeO using BCl3/Ar for the interface passivation layer of III-V MOS devices |
| 002056 (2013) | K. S. Min [Corée du Sud] ; S. H. Kang [Corée du Sud] ; J. K. Kim [Corée du Sud] ; Y. I. Jhon [États-Unis] ; M. S. Jhon [États-Unis] ; G. Y. Yeom [Corée du Sud] | Atomic layer etching of A12O3 using BCl3/Ar for the interface passivation layer of III-V MOS devices : Nanofabrication 2012 |
List of associated Author.i
| Nombre de documents | Descripteur |
|---|---|
| 2 | G. Y. Yeom |
| 2 | J. K. Kim |
| 2 | K. S. Min |
| 2 | M. S. Jhon |
| 2 | S. H. Kang |
| 2 | Y. I. Jhon |
| 1 | C. W. Bielawski |
| 1 | G. Bersuker |
| 1 | J. H. Yum |
| 1 | S. K. Banerjee |
| 1 | Todd W. Hudnall |
Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)
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HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/PascalFrancis/Checkpoint/FC03.fr.i \
-Sk "Structure MOS" \
| HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/PascalFrancis/Checkpoint/biblio.hfd
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|wiki= Wicri/Amérique
|area= PittsburghV1
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|étape= Checkpoint
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|clé= Structure MOS
}}
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