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Serveur d'exploration sur Pittsburgh - Checkpoint (PascalFrancis)

Index « Auteurs » - entrée « Yoosuf N. Picard »
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Yoon Mi Kim < Yoosuf N. Picard < Yoram Keness  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
000268 (2014) FANG LIU [États-Unis] ; LI HUANG [États-Unis] ; Ranga Kamaladasa [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis] ; Edward A. Preble [États-Unis] ; Tanya Paskova [États-Unis] ; Keith R. Evans [États-Unis] ; Robert F. Davis [États-Unis] ; Lisa M. Porter [États-Unis]Site-specific comparisons of V-defects and threading dislocations in InGaN/GaN multi-quantum-wells grown on SiC and GaN substrates
001540 (2013) Charles R. Hogg [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis] ; Amrit Narasimhan [États-Unis] ; James A. Bain [États-Unis] ; Sara A. Majetich [États-Unis]Pattern transfer with stabilized nanoparticle etch masks
003007 (2012) LI HUANG [États-Unis] ; FANG LIU [États-Unis] ; JINGXI ZHU [États-Unis] ; Ranga Kamaladasa [États-Unis] ; Edward A. Preble [États-Unis] ; Tanya Paskova [États-Unis] ; Keith Evans [États-Unis] ; Lisa Porter [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis] ; Robert F. Davis [États-Unis]Microstructure of epitaxial GaN films grown on chemomechanically polished GaN(0001 ) substrates
004325 (2011) Ranga J. Kamaladasa [États-Unis] ; Wenkan Jiang [États-Unis] ; Yoosuf N. Picard [États-Unis]Imaging Dislocations in Single-Crystal SrTiO3 Substrates by Electron Channeling

List of associated FC03.fr.i

Nombre de
documents		Descripteur
26172L
2Composé III-V
2Couche mince
2Couche épitaxique
2Dislocation filetée
2Formation défaut
2Formation image
2GaN
2Homoépitaxie
2Nucléation
2Semiconducteur III-V
2Substrat GaN
15277B
16166
16460Q
16855J
18115K
18116R
1Accommodation réseau
1Amorçage fissure
1Bande interdite
1Boucle dislocation
1Canalisation électron
1Carbone
1Contraste image
1Couche autoassemblée
1Couche épaisse
1Croissance film
1Densité défaut
1Dislocation vis
1Défaut cristallin
1Défaut étendu
1Détecteur
1Effet contrainte
1Epitaxie
1Faisceau électron
1Fissuration
1Formation nanomotif
1Gravure dislocation
1Gravure ionique réactive
1Gravure plasma
1Gravure sélective
1Hétérostructure
1InGaN
1Interface
1Joint grain
1Microscopie force atomique
1Microscopie électronique
1Microscopie électronique balayage
1Microscopie électronique transmission
1Microstructure
1Monocristal
1Mécanisme croissance
1Méthode MOVPE
1Nanomatériau
1Nanoparticule
1Nitrure de gallium
1Orientation grain
1Oxyde de silicium
1Paramètre cristallin
1Propriété mécanique
1Puits quantique multiple
1Réaction dirigée
1Réseau(arrangement)
1Résultat expérimental
1Rétrodiffusion
1SiOx
1Structure cristalline
1Substrat AlN
1Substrat SiC
1Substrat SrTiO3
1Substrat nanoparticule
1Substrat silicium
1Subsurface
1TDS
1Titanate de strontium
1Traitement(durcissement)
1Vecteur Burgers
1Vitesse gravure

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