| S. H. Chiang < S. H. Kang < S. H. Mostofsky | Facettes : |
List of bibliographic references
Number of relevant bibliographic references: 2.| Ident. | Authors (with country if any) | Title |
|---|---|---|
| 000C35 (2014) | K. S. Min [Corée du Sud] ; S. H. Kang [Corée du Sud] ; J. K. Kim [Corée du Sud] ; J. H. Yum [États-Unis] ; Y. I. Jhon [États-Unis] ; Todd W. Hudnall [États-Unis] ; C. W. Bielawski [États-Unis] ; S. K. Banerjee [États-Unis] ; G. Bersuker [États-Unis] ; M. S. Jhon [États-Unis] ; G. Y. Yeom [Corée du Sud] | Atomic layer etching of BeO using BCl3/Ar for the interface passivation layer of III-V MOS devices |
| 002056 (2013) | K. S. Min [Corée du Sud] ; S. H. Kang [Corée du Sud] ; J. K. Kim [Corée du Sud] ; Y. I. Jhon [États-Unis] ; M. S. Jhon [États-Unis] ; G. Y. Yeom [Corée du Sud] | Atomic layer etching of A12O3 using BCl3/Ar for the interface passivation layer of III-V MOS devices : Nanofabrication 2012 |
List of associated FC03.fr.i
| Nombre de documents | Descripteur |
|---|---|
| 2 | Composé III-V |
| 2 | Couche interfaciale |
| 2 | Couche ultramince |
| 2 | Diélectrique permittivité élevée |
| 2 | Endommagement |
| 2 | Gravure |
| 2 | Passivation |
| 2 | Rugosité |
| 2 | Semiconducteur III-V |
| 2 | Structure MOS |
| 1 | 6843 |
| 1 | Adsorption |
| 1 | Al2O3 |
| 1 | Alumine |
| 1 | Dispositif semiconducteur |
| 1 | Désorption |
| 1 | Minimisation |
| 1 | Stoechiométrie |
| 1 | Vitesse gravure |
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